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Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> IDT7MC4018S55CSB
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IDT7MC4018S55CSB

产品描述SRAM Module, 64KX6, 55ns, CMOS
产品类别存储    存储   
文件大小153KB，共6页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7MC4018S55CSB概述

SRAM Module, 64KX6, 55ns, CMOS

IDT7MC4018S55CSB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间55 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-XSMA-T40
JESD-609代码e0
内存密度393216 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度6
功能数量1
端子数量40
字数65536 words
字数代码64000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织64KX6
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装等效代码SIP40,.1
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class B (Modified)
最大待机电流0.12 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.72 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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IDT7MC4018S55CSB相似产品对比

IDT7MC4018S55CSB IDT7MC4018S30CSB IDT7MC4018S45CS IDT7MC4018S45CSB IDT7MC4018S55CS IDT7MC4018S30CS IDT7MC4018S35CS IDT7MC4018S35CSB IDT7MC4018S25CS IDT7MC4018S20CS
描述 SRAM Module, 64KX6, 55ns, CMOS SRAM Module, 64KX6, 30ns, CMOS SRAM Module, 64KX6, 45ns, CMOS SRAM Module, 64KX6, 45ns, CMOS SRAM Module, 64KX6, 55ns, CMOS SRAM Module, 64KX6, 30ns, CMOS SRAM Module, 64KX6, 35ns, CMOS SRAM Module, 64KX6, 35ns, CMOS SRAM Module, 64KX6, 25ns, CMOS SRAM Module, 64KX6, 20ns, CMOS
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C EAR99 3A001.A.2.C EAR99 EAR99 EAR99 3A001.A.2.C EAR99 3A991.B.2.B
最长访问时间 55 ns 30 ns 45 ns 45 ns 55 ns 30 ns 35 ns 35 ns 25 ns 20 ns
I/O 类型 SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE SEPARATE
JESD-30 代码 R-XSMA-T40 R-XSMA-T40 R-XSMA-T40 R-XSMA-T40 R-XSMA-T40 R-XSMA-T40 R-XSMA-T40 R-XSMA-T40 R-XSMA-T40 R-XSMA-T40
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 393216 bit 393216 bit 393216 bit 393216 bit 393216 bit 393216 bit 393216 bit 393216 bit 393216 bit 393216 bit
内存集成电路类型 SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE SRAM MODULE
内存宽度 6 6 6 6 6 6 6 6 6 6
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 40 40 40 40 40 40 40 40 40 40
字数 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000 64000 64000 64000 64000 64000 64000 64000 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 125 °C 125 °C 70 °C 125 °C 70 °C 70 °C 70 °C 125 °C 70 °C 70 °C
组织 64KX6 64KX6 64KX6 64KX6 64KX6 64KX6 64KX6 64KX6 64KX6 64KX6
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装等效代码 SIP40,.1 SIP40,.1 SIP40,.1 SIP40,.1 SIP40,.1 SIP40,.1 SIP40,.1 SIP40,.1 SIP40,.1 SIP40,.1
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.12 A 0.12 A 0.09 A 0.12 A 0.09 A 0.09 A 0.09 A 0.12 A 0.12 A 0.12 A
最小待机电流 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 0.72 mA 0.72 mA 0.66 mA 0.72 mA 0.66 mA 0.66 mA 0.66 mA 0.72 mA 0.9 mA 0.9 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 MILITARY MILITARY COMMERCIAL MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) - - - IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)

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