TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,170V V(BR)DSS,6A I(D),SOT-123
晶体管,场效应管,N沟道,170V V(BR)DSS,6A I(D),SOT-123
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Microsemi |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4 |
| 针数 | 4 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 配置 | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 170 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 6 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 6 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高频带 | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码 | O-CRFM-F4 |
| JESD-609代码 | e1 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 工作模式 | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 115 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES |
| 端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式 | FLAT |
| 端子位置 | RADIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| VRF148A | VRF148A_10 | VRF148AMP | |
|---|---|---|---|
| 描述 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,170V V(BR)DSS,6A I(D),SOT-123 | TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,170V V(BR)DSS,6A I(D),SOT-123 | VHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 |
| 厂商名称 | Microsemi | - | Microsemi |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4 | - | FLANGE MOUNT, O-CRFM-F4 |
| 针数 | 4 | - | 4 |
| Reach Compliance Code | compli | - | compli |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 |
| 配置 | SINGLE | - | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压 | 170 V | - | 170 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 6 A | - | 6 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 6 A | - | 6 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最高频带 | VERY HIGH FREQUENCY BAND | - | VERY HIGH FREQUENCY BAND |
| JESD-30 代码 | O-CRFM-F4 | - | O-CRFM-F4 |
| 元件数量 | 1 | - | 1 |
| 端子数量 | 4 | - | 4 |
| 工作模式 | DEPLETION MODE | - | DEPLETION MODE |
| 最高工作温度 | 200 °C | - | 200 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | - | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状 | ROUND | - | ROUND |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | - | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | - | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 115 W | - | 115 W |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified |
| 表面贴装 | YES | - | YES |
| 端子形式 | FLAT | - | FLAT |
| 端子位置 | RADIAL | - | RADIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | AMPLIFIER | - | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料 | SILICON | - | SILICON |
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