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MRF8372R1

产品描述UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-72
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小166KB,共5页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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MRF8372R1概述

UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-72

MRF8372R1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
包装说明SO-8
针数8
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.2 A
基于收集器的最大容量2.75 pF
集电极-发射极最大电压16 V
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)30
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e0
端子数量8
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)2.2 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

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140 COMMERCE DRIVE
MONTGOMERYVILLE, PA
18936-1013
PHONE: (215) 631-9840
FAX: (215) 631-9855
MRF555
RF & MICROWAVE DISCRETE
LOW POWER TRANSISTORS
Features
Specified @ 12.5 V, 470 MHz Characteristics
Output Power = 1.5 W
Minimum Gain = 11 dB
Efficiency 60% (Typ)
Cost Effective PowerMacro Package
Electroless Tin Plated Leads for Improved Solderability
Power Macro
Designed primarily for wideband large signal stages in
the UHF frequency range.
DESCRIPTION:
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(Tcase = 25
°
C)
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
Parameter
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Value
16
30
3.0
500
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
mA
Thermal Data
P
D
Total Device Dissipation @ TC = 75ºC
Derate above 75ºC
3.0
40
Watts
mW/ ºC
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