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TC514258BFT-60

产品描述IC 256K X 4 STATIC COLUMN DRAM, 60 ns, PDSO20, 6 X 16 MM, PLASTIC, TSOP1-24/20, Dynamic RAM
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文件大小592KB,共16页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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TC514258BFT-60概述

IC 256K X 4 STATIC COLUMN DRAM, 60 ns, PDSO20, 6 X 16 MM, PLASTIC, TSOP1-24/20, Dynamic RAM

TC514258BFT-60规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Toshiba(东芝)
零件包装代码TSOP
包装说明TSOP1,
针数20
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式STATIC COLUMN
最长访问时间60 ns
其他特性RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码R-PDSO-G20
JESD-609代码e0
长度14.4 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STATIC COLUMN DRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量20
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织256KX4
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
刷新周期512
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度6 mm

TC514258BFT-60相似产品对比

TC514258BFT-60 TC514258BP-60 TC514258BJ-60 TC514258BZ-60
描述 IC 256K X 4 STATIC COLUMN DRAM, 60 ns, PDSO20, 6 X 16 MM, PLASTIC, TSOP1-24/20, Dynamic RAM IC 256K X 4 STATIC COLUMN DRAM, 60 ns, PDIP20, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20, Dynamic RAM IC 256K X 4 STATIC COLUMN DRAM, 60 ns, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20, Dynamic RAM IC 256K X 4 STATIC COLUMN DRAM, 60 ns, PZIP19, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-20/19, Dynamic RAM
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 TSOP DIP SOJ ZIP
包装说明 TSOP1, DIP, SOJ, ZIP,
针数 20 20 20 20
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 STATIC COLUMN STATIC COLUMN STATIC COLUMN STATIC COLUMN
最长访问时间 60 ns 60 ns 60 ns 60 ns
其他特性 RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码 R-PDSO-G20 R-PDIP-T20 R-PDSO-J20 R-PZIP-T19
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0
长度 14.4 mm 24.6 mm 17.15 mm 25.8 mm
内存密度 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bi
内存集成电路类型 STATIC COLUMN DRAM STATIC COLUMN DRAM STATIC COLUMN DRAM STATIC COLUMN DRAM
内存宽度 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1
端子数量 20 20 20 19
字数 262144 words 262144 words 262144 words 262144 words
字数代码 256000 256000 256000 256000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 256KX4 256KX4 256KX4 256KX4
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSOP1 DIP SOJ ZIP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
刷新周期 512 512 512 512
座面最大高度 1.2 mm 4.4 mm 3.55 mm 10.16 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO YES NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE J BEND THROUGH-HOLE
端子节距 0.5 mm 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
厂商名称 Toshiba(东芝) - Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
宽度 6 mm 7.62 mm 7.7 mm -
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