IC 256K X 4 STATIC COLUMN DRAM, 60 ns, PDSO20, 6 X 16 MM, PLASTIC, TSOP1-24/20, Dynamic RAM
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Toshiba(东芝) |
零件包装代码 | TSOP |
包装说明 | TSOP1, |
针数 | 20 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
访问模式 | STATIC COLUMN |
最长访问时间 | 60 ns |
其他特性 | RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G20 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 14.4 mm |
内存密度 | 1048576 bit |
内存集成电路类型 | STATIC COLUMN DRAM |
内存宽度 | 4 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 20 |
字数 | 262144 words |
字数代码 | 256000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 256KX4 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSOP1 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified |
刷新周期 | 512 |
座面最大高度 | 1.2 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.5 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 6 mm |
TC514258BFT-60 | TC514258BP-60 | TC514258BJ-60 | TC514258BZ-60 | |
---|---|---|---|---|
描述 | IC 256K X 4 STATIC COLUMN DRAM, 60 ns, PDSO20, 6 X 16 MM, PLASTIC, TSOP1-24/20, Dynamic RAM | IC 256K X 4 STATIC COLUMN DRAM, 60 ns, PDIP20, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-20, Dynamic RAM | IC 256K X 4 STATIC COLUMN DRAM, 60 ns, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20, Dynamic RAM | IC 256K X 4 STATIC COLUMN DRAM, 60 ns, PZIP19, 0.400 INCH, PLASTIC, ZIP-20/19, Dynamic RAM |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
零件包装代码 | TSOP | DIP | SOJ | ZIP |
包装说明 | TSOP1, | DIP, | SOJ, | ZIP, |
针数 | 20 | 20 | 20 | 20 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknow |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
访问模式 | STATIC COLUMN | STATIC COLUMN | STATIC COLUMN | STATIC COLUMN |
最长访问时间 | 60 ns | 60 ns | 60 ns | 60 ns |
其他特性 | RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH | RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH | RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH | RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G20 | R-PDIP-T20 | R-PDSO-J20 | R-PZIP-T19 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
长度 | 14.4 mm | 24.6 mm | 17.15 mm | 25.8 mm |
内存密度 | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bi |
内存集成电路类型 | STATIC COLUMN DRAM | STATIC COLUMN DRAM | STATIC COLUMN DRAM | STATIC COLUMN DRAM |
内存宽度 | 4 | 4 | 4 | 4 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 20 | 20 | 20 | 19 |
字数 | 262144 words | 262144 words | 262144 words | 262144 words |
字数代码 | 256000 | 256000 | 256000 | 256000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 256KX4 | 256KX4 | 256KX4 | 256KX4 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSOP1 | DIP | SOJ | ZIP |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | IN-LINE | SMALL OUTLINE | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
刷新周期 | 512 | 512 | 512 | 512 |
座面最大高度 | 1.2 mm | 4.4 mm | 3.55 mm | 10.16 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | NO | YES | NO |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE | J BEND | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 0.5 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | ZIG-ZAG |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
厂商名称 | Toshiba(东芝) | - | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) |
宽度 | 6 mm | 7.62 mm | 7.7 mm | - |
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