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HU20020

产品描述200 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小116KB,共3页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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HU20020概述

200 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

HU20020规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
应用ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.975 V
JESD-30 代码R-XUFM-X1
最大非重复峰值正向电流2600 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流200 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向恢复时间0.1 µs
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

HU20020相似产品对比

HU20020 HU20010 HU20015 HU20010_11
描述 200 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 200 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 200 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE 200 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
是否无铅 含铅 含铅 含铅 -
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 -
Reach Compliance Code unknow compli compli -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 -
应用 ULTRA FAST RECOVERY ULTRA FAST RECOVERY ULTRA FAST RECOVERY -
外壳连接 CATHODE CATHODE CATHODE -
配置 SINGLE SINGLE SINGLE -
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON -
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE -
最大正向电压 (VF) 0.975 V 0.975 V 0.975 V -
JESD-30 代码 R-XUFM-X1 R-XUFM-X1 R-XUFM-X1 -
最大非重复峰值正向电流 2600 A 2600 A 2600 A -
元件数量 1 1 1 -
相数 1 1 1 -
端子数量 1 1 1 -
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C -
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -
最大输出电流 200 A 200 A 200 A -
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT -
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
最大重复峰值反向电压 200 V 100 V 150 V -
最大反向恢复时间 0.1 µs 0.1 µs 0.1 µs -
表面贴装 NO NO NO -
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED -
端子位置 UPPER UPPER UPPER -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
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