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1N5819

产品描述1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小73KB,共4页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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1N5819概述

1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE

1 A, 45 V, 硅, 信号二极管

1N5819规格参数

参数名称属性值
端子数量1
元件数量1
加工封装描述DIE-2
状态DISCONTINUED
包装形状SQUARE
包装尺寸UNCASED 芯片
表面贴装Yes
端子形式NO 铅
端子涂层锡 铅
端子位置UPPER
包装材料UNSPECIFIED
工艺SCHOTTKY
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型信号二极管
最大重复峰值反向电压45 V
最大平均正向电流1 A

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TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http://www.microsemi.com
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland
Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298
– 1 AMP SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER CHIP
– COMPATIBLE WITH ALL WIRE BONDING AND DIE
ATTACH TECHINIQUES, WITH THE EXCEPTION
OF SOLDER RELOW
Qualified per MIL-PRF-19500/586
DEVICE
QUALIFIED LEVELS
1N5819
JANHCA
JANKCA
MAXIMUM RATING AT 25°C
Operating Temperature:
Storage Temperature:
Average Rectified Forward Current:
-55°C to +110°C
-55°C to +150°C
1.0 AMP @ T
L
+55°C
ANODE
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25°C, unless otherwise specified)
TYPE
NUMBER
WORKING
PEAK
REVERSE
VOLTAGE
V
RWM
MAXIMUM FORWARD
VOLTAGE
V
F
@ 0.1A
V
F
@ 1.0A
V
F
@ 3.1A
MAXIMUM
REVERSE LEAKAGE
CURRENT AT
RATED VOLTAGE
I
R
@ 25°C
I
R
@ 100°C
37 MIL SQUARE
VOLTS
1N5819
45
VOLTS
0.34
VOLTS
0.49
VOLTS
0.8
mA
0.050
mA
5.0
LDS-0180 Rev. 1 (101290)
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1N5819相似产品对比

1N5819 1N5819_10
描述 1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, 45 V, SILICON, SIGNAL DIODE
端子数量 1 1
元件数量 1 1
加工封装描述 DIE-2 DIE-2
状态 DISCONTINUED DISCONTINUED
包装形状 SQUARE SQUARE
包装尺寸 UNCASED 芯片 UNCASED 芯片
表面贴装 Yes Yes
端子形式 NO 铅 NO 铅
端子涂层 锡 铅 锡 铅
端子位置 UPPER UPPER
包装材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
工艺 SCHOTTKY SCHOTTKY
结构 单一的 单一的
壳体连接 隔离 隔离
二极管元件材料
二极管类型 信号二极管 信号二极管
最大重复峰值反向电压 45 V 45 V
最大平均正向电流 1 A 1 A

 
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