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MBR12035

产品描述120 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小262KB,共3页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准
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MBR12035概述

120 A, 35 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

MBR12035规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Microsemi
针数1
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-XUFM-X1
最大非重复峰值正向电流2000 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流120 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压35 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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