EEPROM, 512X8, 150ns, Parallel, CMOS, CDIP24,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Atmel (Microchip) |
包装说明 | DIP, DIP24,.6 |
Reach Compliance Code | compliant |
最长访问时间 | 150 ns |
命令用户界面 | NO |
数据轮询 | YES |
耐久性 | 10000 Write/Erase Cycles |
JESD-30 代码 | R-XDIP-T24 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 4096 bit |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 8 |
端子数量 | 24 |
字数 | 512 words |
字数代码 | 512 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
组织 | 512X8 |
封装主体材料 | CERAMIC |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP24,.6 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-STD-883 Class B (Modified) |
最大待机电流 | 0.003 A |
最大压摆率 | 0.045 mA |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
切换位 | NO |
最长写入周期时间 (tWC) | 0.2 ms |
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