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BFQ31AR

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, SOT-23, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小35KB,共1页
制造商Diodes
官网地址http://www.diodes.com/
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BFQ31AR概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, SOT-23, 3 PIN

BFQ31AR规格参数

参数名称属性值
厂商名称Diodes
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量1.7 pF
集电极-发射极最大电压15 V
配置SINGLE
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)600 MHz

BFQ31AR相似产品对比

BFQ31AR BFQ31ATA BFQ31A
描述 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, SOT-23, 3 PIN TRANSISTOR UHF/VHF NPN SOT23-3 RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, SOT-23, 3 PIN
厂商名称 Diodes - Diodes
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code compliant - compliant
ECCN代码 EAR99 - EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.1 A - 0.1 A
基于收集器的最大容量 1.7 pF - 1.7 pF
集电极-发射极最大电压 15 V - 15 V
配置 SINGLE - SINGLE
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND - ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 - R-PDSO-G3
元件数量 1 - 1
端子数量 3 - 3
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
极性/信道类型 NPN - NPN
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 YES - YES
端子形式 GULL WING - GULL WING
端子位置 DUAL - DUAL
晶体管元件材料 SILICON - SILICON
标称过渡频率 (fT) 600 MHz - 600 MHz
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