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GBPC3510

产品描述35 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小350KB,共3页
制造商SECOS
官网地址http://www.secosgmbh.com/
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GBPC3510概述

35 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

35 A, 1000 V, 硅, 桥式整流二极管

GBPC3510规格参数

参数名称属性值
端子数量4
元件数量4
最小击穿电压1000 V
最大平均输入电流35 A
加工封装描述GBPC, 4 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状SQUARE
包装尺寸FLANGE MOUNT
端子形式SOLDER LUG
端子涂层NICKEL PALLADIUM GOLD
端子位置UPPER
包装材料UNSPECIFIED
结构BRIDGE, 4 ELEMENTS
壳体连接ISOLATED
二极管元件材料SILICON
最大功耗极限83.3 W
二极管类型BRIDGE RECTIFIER DIODE
相数1
最大重复峰值反向电压1000 V
最大非重复峰值正向电流400 A

GBPC3510相似产品对比

GBPC3510 GBPC3502 GBPC3506 GBPC3501 GBPC3504 GBPC3508
描述 35 A, 1000 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE 35 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 35 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 35 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER,1-PHASE FULL-WAVE,800V V(RRM),BR-3Q

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