MQSMCG5657,MQSMCG5657 pdf中文资料,MQSMCG5657引脚图,MQSMCG5657电路-Datasheet-电子工程世界

MQSMCG5657: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 81V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-215AB, PLASTIC PACKAGE-2; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小426KB，共3页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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MQSMCG5657概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 81V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-215AB, PLASTIC PACKAGE-2

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Microsemi
零件包装代码	DO-215AB
包装说明	R-PDSO-G2
针数	2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
最大击穿电压	110 V
最小击穿电压	90 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-215AB
JESD-30 代码	R-PDSO-G2
JESD-609代码	e0
湿度敏感等级	1
最大非重复峰值反向功率耗散	1500 W
元件数量	1
端子数量	2
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	5 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	81 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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