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23A003

产品描述RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED, CASE 55BT, 2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小131KB,共5页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
标准
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23A003概述

RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.3A I(C), 1-Element, S Band, Silicon, NPN, HERMETIC SEALED, CASE 55BT, 2 PIN

23A003规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
Objectid1464808570
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接EMITTER
最大集电极电流 (IC)0.3 A
集电极-发射极最大电压20 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)20
最高频带S BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)3 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)4500 MHz
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