0.22 mA, SILICON, CURRENT REGULATOR DIODE, DO-7
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Microsemi |
包装说明 | O-XALF-W2 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
Is Samacsys | N |
其他特性 | METALLURGICALLY BONDED |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | CURRENT REGULATOR DIODE |
JEDEC-95代码 | DO-35 |
JESD-30 代码 | O-XALF-W2 |
JESD-609代码 | e0 |
膝阻抗最大值 | 2750000 Ω |
最大限制电压 | 1 V |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
最大功率耗散 | 0.5 W |
认证状态 | Not Qualified |
标称调节电流 (Ireg) | 0.22 mA |
最大重复峰值反向电压 | 100 V |
表面贴装 | NO |
技术 | FIELD EFFECT |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | AXIAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches | 1 |
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