BUFFER AMPLIFIER, CDIP24, HYBRID, SIDE BRAZED, DIP-24
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 包装说明 | DIP, DIP24,.6 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | BUFFER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 200 µA |
| 标称带宽 (3dB) | 250 MHz |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 200 µA |
| 最大输入失调电压 | 15000 µV |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T24 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 负供电电压上限 | -8 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -6 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 24 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -25 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP24,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-6 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.232 mm |
| 最小摆率 | 1000 V/us |
| 标称压摆率 | 1200 V/us |
| 最大压摆率 | 65 mA |
| 供电电压上限 | 8 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 6 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | HYBRID |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 15.24 mm |
| LH4003CD | LH4003D | |
|---|---|---|
| 描述 | BUFFER AMPLIFIER, CDIP24, HYBRID, SIDE BRAZED, DIP-24 | BUFFER AMPLIFIER, CDIP24, HYBRID, SIDE BRAZED, DIP-24 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 包装说明 | DIP, DIP24,.6 | DIP, DIP24,.6 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 放大器类型 | BUFFER | BUFFER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 200 µA | 200 µA |
| 标称带宽 (3dB) | 250 MHz | 250 MHz |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 200 µA | 200 µA |
| 最大输入失调电压 | 15000 µV | 20000 µV |
| JESD-30 代码 | R-CDIP-T24 | R-CDIP-T24 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 负供电电压上限 | -8 V | -8 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -6 V | -6 V |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 24 | 24 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -25 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP | DIP |
| 封装等效代码 | DIP24,.6 | DIP24,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-6 V | +-6 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.232 mm | 5.232 mm |
| 最小摆率 | 1000 V/us | 1000 V/us |
| 标称压摆率 | 1200 V/us | 1200 V/us |
| 最大压摆率 | 65 mA | 65 mA |
| 供电电压上限 | 8 V | 8 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 6 V | 6 V |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 技术 | HYBRID | HYBRID |
| 温度等级 | OTHER | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 15.24 mm | 15.24 mm |
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