电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N4500_10

产品描述0.0003 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-7
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小46KB,共3页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
下载文档 全文预览

1N4500_10概述

0.0003 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-7

文档预览

下载PDF文档
TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http: //www.microsemi.com
SWITCHING DIODE
– METALLURGICALLY BONDED
– HERMETICALLY SEALED
– DOUBLE PLUG CONSTRUCTION
Qualified per MIL-PRF-19500/403
DEVICES
QUALIFIED LEVELS
1N4500
JAN
JANTX
MAXIMUM RATING AT 25°C
Operating Temperature:
Storage Temperature:
Surge Current A, sine 1S:
Surge Current A, sine 1μS:
Leakage Current: 100nA
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
V
F
Ambient
(°C)
25
25
25
25
25
I
F
mA
.250
1
10
20
300
Min
V
0.47
0.52
0.64
0.67
--
Max
V
0.56
0.60
0.72
0.77
1.10
DO-35
Ambient
(°C)
25
I
R
V
R
V(dc)
75
Min
μA
--
Max
nA
100
Ambient
(°C)
25
V
BR
I
R
μA
100
Min
V
80
Max
V
--
-65°C to +175°C
-65°C to +200°C
0.5A
4A
75V, T
A
= +25°C
NOTE:
(1) Derate 2.0mAdc/°C for TA > =25°C
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS AT 25°C
Min
Capacitance @ 0V
I
F
= I
R
= 10mA
R
L
= 100 ohms
--
--
Max
4.0
6.0
Unit
pF
ns
LDS-0154 Rev. 1 (100198)
Page 1 of 2

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 323  2897  2678  893  379  36  10  53  2  31 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved