INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 2000uV OFFSET-MAX, 0.35MHz BAND WIDTH, MBCY12
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) |
| 包装说明 | QIP, QUAD12,.4SQ |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.125 µA |
| 标称带宽 (3dB) | 0.35 MHz |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 0.05 µA |
| 最大输入失调电压 | 2000 µV |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W12 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 负供电电压上限 | -18 V |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 12 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -25 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装代码 | QIP |
| 封装等效代码 | QUAD12,.4SQ |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | +-15 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 标称压摆率 | 0.3 V/us |
| 最大压摆率 | 0.6 mA |
| 供电电压上限 | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | BIPOLAR |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 最大电压增益 | 1000 |
| 最小电压增益 | 1 |
| 标称电压增益 | 1000 |
| LH0036CG | LH0036CG/A+ | LH0036G | LH0036G-MIL | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 2000uV OFFSET-MAX, 0.35MHz BAND WIDTH, MBCY12 | IC,INSTRUMENTATION AMPLIFIER,SINGLE,BIPOLAR,QUAD,12PIN,METAL | INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 2000uV OFFSET-MAX, MBCY12 | INSTRUMENTATION AMPLIFIER, 2000uV OFFSET-MAX, MBCY12 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 包装说明 | QIP, QUAD12,.4SQ | QIP, QUAD12,.4SQ | QIP, QUAD12,.4SQ | QIP, QUAD12,.4SQ |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknow | unknow |
| 放大器类型 | INSTRUMENTATION AMPLIFIER | INSTRUMENTATION AMPLIFIER | INSTRUMENTATION AMPLIFIER | INSTRUMENTATION AMPLIFIER |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W12 | S-MQIP-T12 | O-MBCY-W12 | O-MBCY-W12 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 标称负供电电压 (Vsup) | -15 V | -15 V | -15 V | -15 V |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 12 | 12 | 12 | 12 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -25 °C | -25 °C | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | METAL | METAL | METAL | METAL |
| 封装代码 | QIP | QIP | QIP | QIP |
| 封装等效代码 | QUAD12,.4SQ | QUAD12,.4SQ | QUAD12,.4SQ | QUAD12,.4SQ |
| 封装形状 | ROUND | SQUARE | ROUND | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL | IN-LINE | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL |
| 电源 | +-15 V | +-15 V | +-15 V | +-15 V |
| 最大压摆率 | 0.6 mA | 0.6 mA | 0.4 mA | 0.4 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 15 V | 15 V | 15 V | 15 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
| 技术 | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR | BIPOLAR |
| 温度等级 | OTHER | OTHER | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE | THROUGH-HOLE | WIRE | WIRE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | QUAD | BOTTOM | BOTTOM |
| ECCN代码 | EAR99 | - | EAR99 | EAR99 |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.125 µA | - | 0.15 µA | 0.15 µA |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 0.05 µA | - | 0.08 µA | 0.08 µA |
| 最大输入失调电压 | 2000 µV | - | 2000 µV | 2000 µV |
| 负供电电压上限 | -18 V | - | -18 V | -18 V |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 标称压摆率 | 0.3 V/us | - | 0.3 V/us | 0.3 V/us |
| 供电电压上限 | 18 V | - | 18 V | 18 V |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 最小电压增益 | 1 | - | 1 | 1 |
| 标称电压增益 | 1000 | - | 1000 | 1000 |
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