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CN647TR

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, DO-41, DO-41SP, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小70KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CN647TR概述

Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, Silicon, DO-41, DO-41SP, 2 PIN

CN647TR规格参数

参数名称属性值
厂商名称Central Semiconductor
零件包装代码DO-41
包装说明O-XALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-41
JESD-30 代码O-XALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.4 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大功率耗散0.6 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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DATA SHEET
CN645 THRU CN649
GLASS PASSIVATED JUNCTION
GENERAL PURPOSE DIODE
DO-41SP CASE
DESCRIPTION
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CN645 Series types are Glass Passivated Junction general-purpose diodes, which are
well constructed, highly reliable components designed for use in all types of commercial, industrial, entertainment, computer
and automotive applications.
MAXIMUM RATINGS (TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
Peak Working Reverse Voltage
VRWM
Average Forward Current
IO
Average Forward Current (TA=150°C)
IO
Peak Forward Surge Current
IFSM
Power Dissipation
PD
Operating and Storage
Junction Temperature
TJ,Tstg
CN645 CN646 CN647 CN648 CN649
225
300
400
500
600
400
150
3.0
600
-65 to 150
UNITS
V
mA
mA
A
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise noted)
CN645
CN646
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN MAX MIN MAX
VBR
IR=100µA, TA=100°C
275
360
IR
VR=RATED VRWM, TA=100°C
15
15
IR
VR=RATED VRWM
0.2
0.2
VF
IF=400mA
1.0
1.0
CT
VR=12V, f=1.0MHz
11 TYP
11 TYP
CN647
MIN MAX
480
20
0.2
1.0
11 TYP
CN648
MIN MAX
600
20
0.2
1.0
11 TYP
CN649
MIN MAX
720
25
0.2
1.0
11 TYP
UNITS
V
µA
µA
V
pF
(SEE REVERSE SIDE)
R1

 
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