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SBL1050

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 50V V(RRM), Silicon, TO-220AC,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小184KB,共2页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
标准
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SBL1050概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 50V V(RRM), Silicon, TO-220AC,

SBL1050规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
包装说明R-PSFM-T2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.75 V
JEDEC-95代码TO-220AC
JESD-30 代码R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流250 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向电流1000 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

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BL
FEATURES
GALAXY ELECTRICAL
SBL1030 - - - SBL10100
VOLTAGE RANGE:
30
---
100
V
CURRENT:
10
A
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Metal-Semiconductor junction with guard ring
Epitaxial construction
Low forward voltage drop,low switching losses
High surge capability
For use in low voltage,high frequency inverters free
xxxx
wheeling,and polarity protection applications
The plastic material carries U/L recognition 94V-0
TO-220AC
MECHANICAL DATA
Case:JEDEC TO-220AC,molded plastic
Terminals: Leads solderable per
MIL- STD-750,Method 2026
Polarity: As marked
Weight: 0.064 ounces,1.81 gram
Mounting position: Any
mm
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
SBL
SBL SBL SBL
1030 1035 1040 1045
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectified current
T
C
=110
Peak forw ard surge current
8.3ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load T
J
=125
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ 10 A
Maximum reverse current
@T
C
=25
SBL
1050
50
35
50
SBL SBL SBL
1060 1080 10100
60
42
60
80
56
80
100
70
100
UNITS
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
30
21
30
35
25
35
40
28
40
45
32
45
10
I
FSM
V
F
I
R
R
θ
JC
T
J
T
STG
250
A
0.60
1.0
50
5.0
0.75
0.85
V
mA
/W
at rated DC blocking voltage @T
C
=100
Typical thermal resistance
(Note1)
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note: 1. Thermal resistance junction to case.
-55--- + 150
-55--- + 150
www.galaxycn.com
Document Number 0267038
BL
GALAXY ELECTRICAL
1
.

SBL1050相似产品对比

SBL1050 SBL1040 SBL10100 SBL1060
描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 50V V(RRM), Silicon, TO-220AC, Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 40V V(RRM), Silicon, TO-220AC, Rectifier Diode, Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 60V V(RRM), Silicon, TO-220AC,
厂商名称 Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown
是否Rohs认证 符合 符合 - 符合
包装说明 R-PSFM-T2 R-PSFM-T2 - R-PSFM-T2
其他特性 FREE WHEELING DIODE FREE WHEELING DIODE - FREE WHEELING DIODE
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE - GENERAL PURPOSE
外壳连接 CATHODE CATHODE - CATHODE
配置 SINGLE SINGLE - SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON - SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.75 V 0.6 V - 0.75 V
JEDEC-95代码 TO-220AC TO-220AC - TO-220AC
JESD-30 代码 R-PSFM-T2 R-PSFM-T2 - R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流 250 A 250 A - 250 A
元件数量 1 1 - 1
相数 1 1 - 1
端子数量 2 2 - 2
最高工作温度 150 °C 150 °C - 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C - -55 °C
最大输出电流 10 A 10 A - 10 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT - FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压 50 V 40 V - 60 V
最大反向电流 1000 µA 1000 µA - 1000 µA
表面贴装 NO NO - NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY - SCHOTTKY
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE - SINGLE
贴出一片AD操作的代码求解释
void GetADValue(uchar channel) //启动AD转换,得到AD值 { uchar j; ADpara.ADvalue = 0; ADpara.AD_num = 0; ......
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