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1N458_10

产品描述0.007 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小121KB,共3页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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1N458_10概述

0.007 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

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TECHNICAL DATA SHEET
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803
Website: http: //www.microsemi.com
SWITCHING DIODE
– METALLURGICALLY BONDED
– HERMETICALLY SEALED
– DOUBLE PLUG CONSTRUCTION
Qualified per MIL-PRF-19500/193
DEVICES
QUALIFIED LEVELS
1N458
MAXIMUM RATING AT 25°C
Operating Temperature:
Storage Temperature:
Max operating Current (I
F
):
Total Power Dissipation:
D.C. Reverse Voltage (V
RWM
):
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
V
F
Ambient
(°C)
25
-55
I
F
mA
100
100
Min
V
-
Max
V
1.0
1.2
Ambient
(°C)
25
25
150
V (dc)
125
150
125
I
R
Min
µA
-
-
-
Max
µA
0.025
1.0
5.0
-65°C to +150°C
-65°C to +175°C
165mA
500mW
125V
JAN
DO-35
LDS-0024 Rev. 2 (100185)
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