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1N3891R

产品描述12 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小508KB,共7页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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1N3891R概述

12 A, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-4

1N3891R规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码DO-4
包装说明O-MUPM-D1
针数1
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
应用FAST RECOVERY
外壳连接ANODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.4 V
JEDEC-95代码DO-203AA
JESD-30 代码O-MUPM-D1
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流175 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流20 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
参考标准MIL
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流25 µA
最大反向恢复时间0.2 µs
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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