2SK1314(S),2SK1314(S) pdf中文资料,2SK1314(S)引脚图,2SK1314(S)电路-Datasheet-电子工程世界

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2SK1314(S): 产品描述Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LDPAK-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小29KB，共6页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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2SK1314(S)概述

Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LDPAK-3

2SK1314(S)规格参数

参数名称	属性值
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3
Reach Compliance Code	unknow
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	5 A
最大漏极电流 (ID)	5 A
最大漏源导通电阻	1.5 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	20 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

2SK1314(S)相似产品对比

	2SK1314(S)	2SK1313(L)	2SK1313(S)	2SK1314(L)
描述	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LDPAK-3	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 450V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LDPAK-3	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 450V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LDPAK-3	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LDPAK-3
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	IN-LINE, R-PSIP-T3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数	3	3	3	3
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow
外壳连接	DRAIN	DRAIN	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	500 V	450 V	450 V	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	5 A	5 A	5 A	5 A
最大漏极电流 (ID)	5 A	5 A	5 A	5 A
最大漏源导通电阻	1.5 Ω	1.4 Ω	1.4 Ω	1.5 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSIP-T3	R-PSSO-G2	R-PSIP-T3
元件数量	1	1	1	1
端子数量	2	3	2	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	IN-LINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	50 W	50 W	50 W	50 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	20 A	20 A	20 A	20 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	NO	YES	NO
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
Base Number Matches	1	1	1	1

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