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FRK150D: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小84KB，共8页; 制造商Fairchild; 官网地址http://www.fairchildsemi.com/

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FRK150D概述

Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE,

FRK150D规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Fairchild
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	40 A
最大漏极电流 (ID)	40 A
最大漏源导通电阻	0.055 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-204AE
JESD-30 代码	O-MBFM-P2
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	METAL
封装形状	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	100 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

FRK150D相似产品对比

	FRK150D	FRK150R	FRK150H
描述	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE,	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE,	Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE,
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Fairchild	Fairchild	Fairchild
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V	100 V	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	40 A	40 A	40 A
最大漏极电流 (ID)	40 A	40 A	40 A
最大漏源导通电阻	0.055 Ω	0.055 Ω	0.055 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-204AE	TO-204AE	TO-204AE
JESD-30 代码	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2	O-MBFM-P2
JESD-609代码	e0	e0	e0
元件数量	1	1	1
端子数量	2	2	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	METAL	METAL	METAL
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT	FLANGE MOUNT
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	150 W	150 W	150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	100 A	100 A	100 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	PIN/PEG	PIN/PEG	PIN/PEG
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON

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