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FRF450D

产品描述Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.615ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小85KB,共8页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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FRF450D概述

Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.615ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,

FRF450D规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Fairchild
Reach Compliance Codecompliant
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)9 A
最大漏极电流 (ID)9 A
最大漏源导通电阻0.615 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-254AA
JESD-30 代码R-MSFM-P3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)27 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

FRF450D相似产品对比

FRF450D FRF450H FRF450R
描述 Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.615ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.615ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.615ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Fairchild Fairchild Fairchild
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 500 V 500 V 500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 9 A 9 A 9 A
最大漏极电流 (ID) 9 A 9 A 9 A
最大漏源导通电阻 0.615 Ω 0.615 Ω 0.615 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-254AA TO-254AA TO-254AA
JESD-30 代码 R-MSFM-P3 R-MSFM-P3 R-MSFM-P3
JESD-609代码 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1
端子数量 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 METAL METAL METAL
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 125 W 125 W 125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 27 A 27 A 27 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON
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