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HYB18T256161AF-25

产品描述DDR DRAM, 16MX16, 0.55ns, CMOS, PBGA84, GREEN, PLASTIC, TFBGA-84
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文件大小2MB,共90页
制造商QIMONDA
标准
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HYB18T256161AF-25概述

DDR DRAM, 16MX16, 0.55ns, CMOS, PBGA84, GREEN, PLASTIC, TFBGA-84

HYB18T256161AF-25规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称QIMONDA
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA,
针数84
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.55 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码R-PBGA-B84
长度12.5 mm
内存密度268435456 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度16
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量1
端子数量84
字数16777216 words
字数代码16000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织16MX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)260
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)2.1 V
最小供电电压 (Vsup)1.9 V
标称供电电压 (Vsup)2 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度10 mm

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Data Sheet, Rev. 1.30, July 2005
HYB18T256161AF–22/25/28/33
HYB18T256161AFL25/28/33
256-Mbit x16 GDDR2 DRAM
RoHS compliant
Memory Products
N e v e r
s t o p
t h i n k i n g .

HYB18T256161AF-25相似产品对比

HYB18T256161AF-25 HYB18T256161AFL-33 HYB18T256161AF-22
描述 DDR DRAM, 16MX16, 0.55ns, CMOS, PBGA84, GREEN, PLASTIC, TFBGA-84 DDR DRAM, 16MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84 DDR DRAM, 16MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 QIMONDA QIMONDA QIMONDA
包装说明 TFBGA, FBGA, BGA84,9X15,32 FBGA, BGA84,9X15,32
Reach Compliance Code unknown unknown unknow
最长访问时间 0.55 ns 0.6 ns 0.45 ns
JESD-30 代码 R-PBGA-B84 R-PBGA-B84 R-PBGA-B84
内存密度 268435456 bit 268435456 bit 268435456 bi
内存集成电路类型 DDR DRAM DDR DRAM DDR DRAM
内存宽度 16 16 16
端子数量 84 84 84
字数 16777216 words 16777216 words 16777216 words
字数代码 16000000 16000000 16000000
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C
组织 16MX16 16MX16 16MX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TFBGA FBGA FBGA
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH GRID ARRAY, FINE PITCH
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
标称供电电压 (Vsup) 2 V 1.8 V 2 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 OTHER OTHER OTHER
端子形式 BALL BALL BALL
端子节距 0.8 mm 0.8 mm 0.8 mm
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
最大时钟频率 (fCLK) - 300 MHz 450 MHz
I/O 类型 - COMMON COMMON
交错的突发长度 - 4,8 4,8
输出特性 - 3-STATE 3-STATE
封装等效代码 - BGA84,9X15,32 BGA84,9X15,32
电源 - 1.8 V 2 V
刷新周期 - 8192 8192
连续突发长度 - 4,8 4,8
最大待机电流 - 0.004 A 0.004 A
最大压摆率 - 0.16 mA 0.19 mA

 
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