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HMT125S6AFP8C-H8N0

产品描述DDR DRAM, 256MX64, CMOS, PDMA204,
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文件大小1MB,共49页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
标准
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HMT125S6AFP8C-H8N0概述

DDR DRAM, 256MX64, CMOS, PDMA204,

HMT125S6AFP8C-H8N0规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SK Hynix(海力士)
包装说明DIMM, DIMM204,24
Reach Compliance Codecompliant
最大时钟频率 (fCLK)667 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDMA-N204
内存密度17179869184 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度64
端子数量204
字数268435456 words
字数代码256000000
最高工作温度85 °C
最低工作温度
组织256MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM204,24
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源1.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
最大待机电流0.16 A
最大压摆率3.04 mA
标称供电电压 (Vsup)1.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级OTHER
端子形式NO LEAD
端子节距0.6 mm
端子位置DUAL

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