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PZTA14_08

产品描述TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,30V V(BR)CEO,1.2A I(C),SOT-223
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小521KB,共7页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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PZTA14_08概述

TRANSISTOR,BJT,DARLINGTON,NPN,30V V(BR)CEO,1.2A I(C),SOT-223

晶体管,BJT,达林顿,NPN,30V V(BR)CEO,1.2A I(C),SOT-223

PZTA14_08规格参数

参数名称属性值
最大集电极电流1.2 A
状态Active
结构DARLINGTON
最小直流放大倍数10000
最大工作温度150 Cel
larity_channel_typeNPN
wer_dissipation_max__abs_1 W
sub_categoryOther Transistors
表面贴装YES
额定交叉频率125 MHz

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PZTA14
NPN Silicon Darlington Transistor
For general AF applications
High collector current
High current gain
Pb-free (RoHS compliant) package
1)
Qualified according AEC Q101
4
2
1
3
Type
PZTA14
Maximum Ratings
Parameter
Marking
PZTA14 1=B
Pin Configuration
2=C
3=E
4=C
-
-
Package
SOT223
Symbol
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
tot
T
j
T
stg
Symbol
R
thJS
Value
30
30
10
300
500
100
200
1.5
150
-65 ... 150
Unit
V
Collector-emitter voltage
Collector-base voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Peak collector current
Base current
Peak base current
Total power dissipation-
T
S
124 °C
Junction temperature
Storage temperature
Thermal Resistance
Parameter
Junction - soldering point
2)
1
Pb-containing
2
For
mA
W
°C
Value
17
Unit
K/W
package may be available upon special request
calculation of
R
thJA
please refer to Application Note Thermal Resistance
1
2008-03-07

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