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GMM26417228ANTG-75

产品描述Synchronous DRAM Module, 16MX64, 5.4ns, CMOS, PDMA144,
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文件大小231KB,共12页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

GMM26417228ANTG-75概述

Synchronous DRAM Module, 16MX64, 5.4ns, CMOS, PDMA144,

GMM26417228ANTG-75规格参数

参数名称属性值
厂商名称SK Hynix(海力士)
包装说明DIMM, DIMM144,32
Reach Compliance Codecompliant
最长访问时间5.4 ns
最大时钟频率 (fCLK)133 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDMA-N144
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度64
端子数量144
字数16777216 words
字数代码16000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM144,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
最大待机电流0.008 A
最大压摆率1 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL

GMM26417228ANTG-75相似产品对比

GMM26417228ANTG-75
描述 Synchronous DRAM Module, 16MX64, 5.4ns, CMOS, PDMA144,
厂商名称 SK Hynix(海力士)
包装说明 DIMM, DIMM144,32
Reach Compliance Code compliant
最长访问时间 5.4 ns
最大时钟频率 (fCLK) 133 MHz
I/O 类型 COMMON
JESD-30 代码 R-PDMA-N144
内存密度 1073741824 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 64
端子数量 144
字数 16777216 words
字数代码 16000000
最高工作温度 70 °C
组织 16MX64
输出特性 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIMM
封装等效代码 DIMM144,32
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源 3.3 V
认证状态 Not Qualified
刷新周期 4096
最大待机电流 0.008 A
最大压摆率 1 mA
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V
表面贴装 NO
技术 CMOS
温度等级 COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD
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