69 A, 100 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
69 A, 100 V, 0.012 ohm, N沟道, 硅, POWER, 场效应管, TO-220AB
| 参数名称 | 属性值 |
| 端子数量 | 3 |
| 最小击穿电压 | 100 V |
| 加工封装描述 | 绿色, 塑料, TO-220, 3 PIN |
| 无铅 | Yes |
| 欧盟RoHS规范 | Yes |
| 中国RoHS规范 | Yes |
| 状态 | ACTIVE |
| 包装形状 | 矩形的 |
| 包装尺寸 | 凸缘安装 |
| 端子形式 | THROUGH-孔 |
| 端子涂层 | MATTE 锡 |
| 端子位置 | 单一的 |
| 包装材料 | 塑料/环氧树脂 |
| 结构 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 |
| 元件数量 | 1 |
| 晶体管应用 | 开关 |
| 晶体管元件材料 | 硅 |
| 通道类型 | N沟道 |
| 场效应晶体管技术 | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 操作模式 | ENHANCEMENT |
| 晶体管类型 | 通用电源 |
| 最大漏电流 | 69 A |
| 额定雪崩能量 | 150 mJ |
| 最大漏极导通电阻 | 0.0120 ohm |
| 最大漏电流脉冲 | 276 A |
| IPP12CN10LG | IPS12CN10LG | |
|---|---|---|
| 描述 | 69 A, 100 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB | 69 A, 100 V, 0.012 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 端子形式 | THROUGH-孔 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | 单一的 | SINGLE |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 晶体管应用 | 开关 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | 硅 | SILICON |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
