IPD50CN10NG,IPD50CN10NG pdf中文资料,IPD50CN10NG引脚图,IPD50CN10NG电路-Datasheet-电子工程世界

IPD50CN10NG: 产品描述OptiMOS2 Power-Transistor; 文件大小915KB，共13页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/

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IPD50CN10NG概述

OptiMOS2 Power-Transistor

IPD50CN10NG相似产品对比

	IPD50CN10NG	IPB50CN10NG	IPI50CN10NG	IPP50CN10NG	IPP50CN10NG_10
描述	OptiMOS2 Power-Transistor	OptiMOS2 Power-Transistor	OptiMOS2 Power-Transistor	OptiMOS2 Power-Transistor	OptiMOS2 Power-Transistor
是否Rohs认证	-	符合	符合	符合	-
厂商名称	-	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	Infineon(英飞凌)	-
零件包装代码	-	D2PAK	TO-262AA	TO-220AB	-
包装说明	-	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	IN-LINE, R-PSIP-T3	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	-
针数	-	4	3	3	-
Reach Compliance Code	-	compli	compli	compli	-
ECCN代码	-	EAR99	EAR99	EAR99	-
雪崩能效等级（Eas）	-	29 mJ	29 mJ	29 mJ	-
配置	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-
最小漏源击穿电压	-	100 V	100 V	100 V	-
最大漏极电流 (Abs) (ID)	-	20 A	20 A	20 A	-
最大漏极电流 (ID)	-	20 A	20 A	20 A	-
最大漏源导通电阻	-	0.05 Ω	0.05 Ω	0.05 Ω	-
FET 技术	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-
JEDEC-95代码	-	TO-263AB	TO-262AA	TO-220AB	-
JESD-30 代码	-	R-PSSO-G2	R-PSIP-T3	R-PSFM-T3	-
JESD-609代码	-	e3	e3	e3	-
湿度敏感等级	-	1	1	3	-
元件数量	-	1	1	1	-
端子数量	-	2	3	3	-
工作模式	-	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	-
最高工作温度	-	175 °C	175 °C	175 °C	-
封装主体材料	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-
封装形状	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-
封装形式	-	SMALL OUTLINE	IN-LINE	FLANGE MOUNT	-
峰值回流温度（摄氏度）	-	260	260	260	-
极性/信道类型	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	-
最大功率耗散 (Abs)	-	44 W	44 W	44 W	-
最大脉冲漏极电流 (IDM)	-	80 A	80 A	80 A	-
认证状态	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-
表面贴装	-	YES	NO	NO	-
端子面层	-	MATTE TIN	MATTE TIN	MATTE TIN	-
端子形式	-	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	-
端子位置	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE	-
处于峰值回流温度下的最长时间	-	40	40	NOT SPECIFIED	-
晶体管应用	-	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	-
晶体管元件材料	-	SILICON	SILICON	SILICON	-

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