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SK55DGL126_10

产品描述40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小746KB,共5页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
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SK55DGL126_10概述

40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT

40 A, 1200 V, N沟道 IGBT

SK55DGL126_10规格参数

参数名称属性值
端子数量11
额定关断时间520 ns
最大集电极电流40 A
最大集电极发射极电压1200 V
加工封装描述PLASTIC, CASE T 14, SEMITOP 3, 11 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状RECTANGULAR
包装尺寸FLANGE MOUNT
端子形式UNSPECIFIED
端子涂层TIN/SILVER
端子位置UPPER
包装材料PLASTIC/EPOXY
结构SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THREE PHASE DIODE BRIDGE
壳体连接ISOLATED
元件数量1
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
通道类型N-CHANNEL
晶体管类型INSULATED GATE BIPOLAR
额定导通时间115 ns

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SK 55 DGL 126
CONVERTER, INVERTER, BRAKE
Absolute Maximum Ratings
Symbol Conditions
IGBT - Chopper
Values
Units
Diode - Chopper
SEMITOP
®
3
3-phase bridge rectifier +
brake chopper
SK 55 DGL 126
Preliminary Data
Rectifier
Features
Characteristics
Symbol Conditions
IGBT - Chopper
min.
typ.
max.
Units
Typical Applications*
Diode - Chopper
Diode rectifier
Temperatur sensor
Mechanical data
DGL
1
02-03-2010 DIL
© by SEMIKRON

SK55DGL126_10相似产品对比

SK55DGL126_10 SK55DGL126
描述 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT 40 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
端子数量 11 11
额定关断时间 520 ns 520 ns
最大集电极电流 40 A 40 A
最大集电极发射极电压 1200 V 1200 V
加工封装描述 PLASTIC, CASE T 14, SEMITOP 3, 11 PIN PLASTIC, CASE T 14, SEMITOP 3, 11 PIN
无铅 Yes Yes
欧盟RoHS规范 Yes Yes
状态 ACTIVE ACTIVE
包装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
包装尺寸 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子涂层 TIN/SILVER TIN/SILVER
端子位置 UPPER UPPER
包装材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
结构 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THREE PHASE DIODE BRIDGE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND THREE PHASE DIODE BRIDGE
壳体连接 ISOLATED ISOLATED
元件数量 1 1
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
通道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
晶体管类型 INSULATED GATE BIPOLAR INSULATED GATE BIPOLAR
额定导通时间 115 ns 115 ns
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