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M29F002BNT120K6F

产品描述256KX8 FLASH 5V PROM, 70ns, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32
产品类别存储    存储   
文件大小445KB,共21页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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M29F002BNT120K6F概述

256KX8 FLASH 5V PROM, 70ns, PQCC32, LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32

M29F002BNT120K6F规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码QFJ
包装说明LEAD FREE, PLASTIC, LCC-32
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间70 ns
其他特性TOP BOOT BLOCK
启动块TOP
命令用户界面YES
数据轮询YES
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PQCC-J32
长度13.97 mm
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
部门数/规模1,2,1,3
端子数量32
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC32,.5X.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
编程电压5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.56 mm
部门规模16K,8K,32K,64K
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度11.43 mm
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