电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SK35GD12T4ET

产品描述IGBT Module
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小857KB,共6页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
标准
下载文档 详细参数 全文预览

SK35GD12T4ET概述

IGBT Module

SK35GD12T4ET规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SEMIKRON
包装说明FLANGE MOUNT, R-PUFM-X15
针数19
制造商包装代码CASE T 52
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)44 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置COMPLEX
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-PUFM-X15
元件数量6
端子数量15
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)373 ns
标称接通时间 (ton)53 ns
VCEsat-Max2.05 V

文档预览

下载PDF文档
SK35GD12T4ET
Absolute Maximum Ratings
Symbol Conditions
IGBT
Values
Units
SEMITOP
®
3
Inverse Diode
IGBT Module
SK35GD12T4ET
Module
Target Data
Features
Characteristics
Symbol Conditions
IGBT
min.
typ.
max.
Units
Typical Applications*
Remarks
GD-ET
1
14-05-2009 DIL
© by SEMIKRON

技术资料推荐更多

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2773  1332  599  1611  1245  54  46  53  41  48 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved