AGR21045EF,AGR21045EF pdf中文资料,AGR21045EF引脚图,AGR21045EF电路-Datasheet-电子工程世界

AGR21045EF: 产品描述S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, FM-2; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小233KB，共10页; 制造商AVAGO; 官网地址http://www.avagotech.com/

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S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, FM-2

参数名称	属性值
厂商名称	AVAGO
包装说明	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
外壳连接	SOURCE
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	65 V
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带	S BAND
JESD-30 代码	R-CDFM-F2
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	225
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	117 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON

	AGR21045EF
描述	S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, FM-2
厂商名称	AVAGO
包装说明	FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
外壳连接	SOURCE
配置	SINGLE
最小漏源击穿电压	65 V
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带	S BAND
JESD-30 代码	R-CDFM-F2
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	200 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	225
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	117 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	AMPLIFIER
晶体管元件材料	SILICON

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