ST700C22L1L,ST700C22L1L pdf中文资料,ST700C22L1L引脚图,ST700C22L1L电路-Datasheet-电子工程世界

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ST700C22L1L: 产品描述Silicon Controlled Rectifier, 1857A I(T)RMS, 910000mA I(T), 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element, TO-200AC; 产品类别模拟混合信号IC 触发装置; 文件大小140KB，共8页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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ST700C22L1L概述

Silicon Controlled Rectifier, 1857A I(T)RMS, 910000mA I(T), 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element, TO-200AC

ST700C22L1L规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	DISK BUTTON, O-CEDB-N2
Reach Compliance Code	compliant
外壳连接	ISOLATED
标称电路换相断开时间	150 µs
配置	SINGLE
最大直流栅极触发电流	200 mA
最大直流栅极触发电压	3 V
最大维持电流	600 mA
JEDEC-95代码	TO-200AC
JESD-30 代码	O-CEDB-N2
JESD-609代码	e0
最大漏电流	80 mA
通态非重复峰值电流	16000 A
元件数量	1
端子数量	2
最大通态电流	910000 A
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND
封装形式	DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大均方根通态电流	1857 A
重复峰值关态漏电流最大值	80000 µA
断态重复峰值电压	2200 V
重复峰值反向电压	2200 V
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	NO LEAD
端子位置	END
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
触发设备类型	SCR

ST700C22L1L相似产品对比

	ST700C22L1L	ST700C22L2L	ST700C22L2	ST700C22L3L	ST700C22L3	ST700C22L0L
描述	Silicon Controlled Rectifier, 1857A I(T)RMS, 910000mA I(T), 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element, TO-200AC	Silicon Controlled Rectifier, 1857A I(T)RMS, 910000mA I(T), 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element, TO-200AC	Silicon Controlled Rectifier, 1857A I(T)RMS, 910000mA I(T), 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element, TO-200AC	Silicon Controlled Rectifier, 1857A I(T)RMS, 910000mA I(T), 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element, TO-200AC	Silicon Controlled Rectifier, 1857A I(T)RMS, 910000mA I(T), 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element, TO-200AC	Silicon Controlled Rectifier, 1857A I(T)RMS, 910000mA I(T), 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element, TO-200AC, TO-200AC, 2 PIN
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
包装说明	DISK BUTTON, O-CEDB-N2	DISK BUTTON, O-CEDB-N2	DISK BUTTON, O-CEDB-N2	DISK BUTTON, O-CEDB-N2	DISK BUTTON, O-CEDB-N2	DISK BUTTON, O-CEDB-N2
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
标称电路换相断开时间	150 µs	150 µs	150 µs	150 µs	150 µs	150 µs
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最大直流栅极触发电流	200 mA	200 mA	200 mA	200 mA	200 mA	200 mA
最大直流栅极触发电压	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V	3 V
最大维持电流	600 mA	600 mA	600 mA	600 mA	600 mA	600 mA
JEDEC-95代码	TO-200AC	TO-200AC	TO-200AC	TO-200AC	TO-200AC	TO-200AC
JESD-30 代码	O-CEDB-N2	O-CEDB-N2	O-CEDB-N2	O-CEDB-N2	O-CEDB-N2	O-CEDB-N2
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0
最大漏电流	80 mA	80 mA	80 mA	80 mA	80 mA	80 mA
通态非重复峰值电流	16000 A	16000 A	16000 A	16000 A	16000 A	16000 A
元件数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2	2
最大通态电流	910000 A	910000 A	910000 A	910000 A	910000 A	910000 A
最高工作温度	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C	125 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND
封装形式	DISK BUTTON	DISK BUTTON	DISK BUTTON	DISK BUTTON	DISK BUTTON	DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大均方根通态电流	1857 A	1857 A	1857 A	1857 A	1857 A	1857 A
重复峰值关态漏电流最大值	80000 µA	80000 µA	80000 µA	80000 µA	80000 µA	80000 µA
断态重复峰值电压	2200 V	2200 V	2200 V	2200 V	2200 V	2200 V
重复峰值反向电压	2200 V	2200 V	2200 V	2200 V	2200 V	2200 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	END	END	END	END	END	END
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
触发设备类型	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR	SCR

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