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STU9NC80: 产品描述N-CHANNEL 800V - 0.82ohm - 8.6A Max220/I-Max220 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET; 文件大小291KB，共10页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/

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STU9NC80概述

N-CHANNEL 800V - 0.82ohm - 8.6A Max220/I-Max220 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET

STU9NC80相似产品对比

	STU9NC80	STU9NC80Z	STU9NC80ZI
描述	N-CHANNEL 800V - 0.82ohm - 8.6A Max220/I-Max220 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET	N-CHANNEL 800V - 0.82ohm - 8.6A Max220/I-Max220 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET	N-CHANNEL 800V - 0.82ohm - 8.6A Max220/I-Max220 Zener-Protected PowerMESH⑩III MOSFET
是否Rohs认证	-	不符合	不符合
厂商名称	-	ST(意法半导体)	ST(意法半导体)
包装说明	-	MAX220, 3 PIN	IMAX220, 3 PIN
针数	-	3	3
Reach Compliance Code	-	_compli	_compli
雪崩能效等级（Eas）	-	400 mJ	400 mJ
配置	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	-	800 V	800 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	-	8.6 A	8.6 A
最大漏极电流 (ID)	-	8.6 A	8.6 A
最大漏源导通电阻	-	0.9 Ω	0.9 Ω
FET 技术	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	-	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3
JESD-609代码	-	e0	e0
元件数量	-	1	1
端子数量	-	3	3
工作模式	-	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	-	150 °C	150 °C
封装主体材料	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	-	IN-LINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	-	160 W	55 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	-	34.4 A	34.4 A
认证状态	-	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	-	NO	NO
端子面层	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	-	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	-	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	-	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	-	SILICON	SILICON

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