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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRHM7450PBF
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IRHM7450PBF

产品描述Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小298KB，共12页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IRHM7450PBF概述

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3

IRHM7450PBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3
Reach Compliance Codecompliant
其他特性RADIATION HARDENED
雪崩能效等级（Eas）500 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压500 V
最大漏极电流 (ID)11 A
最大漏源导通电阻0.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-254AA
JESD-30 代码S-CSFM-P3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)44 A
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

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PD - 90673B
RADIATION HARDENED
POWER MOSFET
THRU-HOLE (TO-254AA)
Product Summary
Part Number
IRHM7450
IRHM3450
IRHM4450
IRHM8450
Radiation Level
100K Rads (Si)
300K Rads (Si)
500K Rads (Si)
1000K Rads (Si)
R
DS(on)
0.45Ω
0.45Ω
0.45Ω
0.45Ω
I
D
11A
11A
11A
11A
IRHM7450
JANSR2N7270
500V, N-CHANNEL
REF: MIL-PRF-19500/603
®
RAD-Hard HEXFET
TECHNOLOGY
™
QPL Part Number
JANSR2N7270
JANSF2N7270
JANSG2N7270
JANSH2N7270
TO-254AA
International Rectifier’s RAD-Hard
TM
HEXFET
®
technology provides high performance power
MOSFETs for space applications. This technology
has over a decade of proven performance and
reliability in satellite applications. These devices have
been characterized for both Total Dose and Single
Event Effects (SEE). The combination of low Rdson
and low gate charge reduces the power losses in
switching applications such as DC to DC converters
and motor control. These devices retain all of the well
established advantages of MOSFETs such as voltage
control, fast switching, ease of paralleling and
temperature stability of electrical parameters.
Features:
n
n
n
n
n
n
n
n
Single Event Effect (SEE) Hardened
Low R
DS(on)
Low Total Gate Charge
Simple Drive Requirements
Ease of Paralleling
Hermetically Sealed
Ceramic Eyelets
Light Weight
Absolute Maximum Ratings
Parameter
ID @ VGS = 12V, TC = 25°C Continuous Drain Current
ID @ VGS = 12V, TC = 100°C Continuous Drain Current
IDM
PD @ T C = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv/dt
TJ
T STG
Pulsed Drain Current
À
Max. Power Dissipation
Linear Derating Factor
Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Avalanche Energy
Á
Avalanche Current
À
Repetitive Avalanche Energy
À
Peak Diode Recovery dv/dt
Â
Operating Junction
Storage Temperature Range
Lead Temperature
Weight
For footnotes refer to the last page
11
7.0
44
150
1.2
±20
500
11
15
3.5
-55 to 150
Pre-Irradiation
Units
A
W
W/°C
V
mJ
A
mJ
V/ns
o
C
300 (0.063 in. (1.6mm) from case for 10s)
9.3 (Typical)
g
www.irf.com
05/18/06
1

IRHM7450PBF相似产品对比

IRHM7450PBF IRHM8450PBF IRHM4450 IRHM8450 IRHM3450 IRHM7450
描述 Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3 Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3 Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3 Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3 Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3 Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 500V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA, HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3
是否Rohs认证 符合 符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3 FLANGE MOUNT, S-CSFM-P3 HERMETIC SEALED, CERAMIC PACKAGE-3
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant unknown
雪崩能效等级（Eas） 500 mJ 500 mJ 500 mJ 500 mJ 500 mJ 500 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 500 V 500 V 500 V 500 V 500 V 500 V
最大漏极电流 (ID) 11 A 11 A 11 A 11 A 11 A 11 A
最大漏源导通电阻 0.5 Ω 0.5 Ω 0.5 Ω 0.5 Ω 0.5 Ω 0.5 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-254AA TO-254AA TO-254AA TO-254AA TO-254AA TO-254AA
JESD-30 代码 S-CSFM-P3 S-CSFM-P3 S-CSFM-P3 S-CSFM-P3 S-CSFM-P3 S-CSFM-P3
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 44 A 44 A 44 A 44 A 44 A 44 A
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
其他特性 RADIATION HARDENED RADIATION HARDENED - RADIATION HARDENED - RADIATION HARDENED
外壳连接 ISOLATED ISOLATED - ISOLATED - ISOLATED
Base Number Matches - 1 1 1 1 -
最大漏极电流 (Abs) (ID) - - 11 A 11 A 11 A 11 A
JESD-609代码 - - e0 e0 e0 e0
最大功率耗散 (Abs) - - 150 W 150 W 150 W 150 W
认证状态 - - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
端子面层 - - TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)

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