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DTD143EST116

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小67KB,共3页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准  
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DTD143EST116概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,

DTD143EST116规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)47
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz

DTD143EST116相似产品对比

DTD143EST116 DTD143ECTP
描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 ROHM(罗姆半导体) ROHM(罗姆半导体)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1 DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 50 V 50 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE) 47 47
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PSIP-T3
JESD-609代码 e1 e1
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260
极性/信道类型 NPN NPN
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES NO
端子面层 TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 DUAL SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 200 MHz 200 MHz

 
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