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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRGC26B120KBPBF
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IRGC26B120KBPBF

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小44KB，共1页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IRGC26B120KBPBF概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2

IRGC26B120KBPBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明UNCASED CHIP, S-XUUC-N2
Reach Compliance Codecompliant
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE
JESD-30 代码S-XUUC-N2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON

IRGC26B120KBPBF文档预览

IRGC26B120KB
Features
•
•
•
•
•
PD - 94563
Die in Wafer Form
1200V
I
C(nom)
=25A
V
CE(on) typ.
=2.35V @
I
C(nom)
@ 25°C
Motor Control IGBT
Short Circuit Rated
150mm Wafer
Benefits
GEN5 Non Punch Through (NPT) Technology
Low V
CE(on)
10
µ
s Short Circuit Capability
Square RBSOA
Positive V
CE(on)
Temperature Coefficient
C
G
E
• Benchmark Efficiency for Motor Control Applications
• Rugged Transient Performance
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation
Reference Standard IR Package Part: GB25XF120K
Electrical Characteristics (Wafer Form)
Parameter
Description
V
CE (on)
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
V
(BR)CES
Colletor-to-Emitter Breakdown Voltage
V
GE(th)
I
CES
I
GES
Gate Threshold Voltage
Zero Gate Voltage Collector Current
Gate-to-Emitter Leakage Current
Guaranteed (min, max)
Test Conditions
1.54V min, 1.96V max I
C
= 10A, T
J
= 25°C, V
GE
= 15V
T
J
= 25°C, I
CES
= 250µA, V
GE
= 0V
1200V min
4.4V min, 6.0V max
10µA max
± 1.1µA max
V
GE
= V
CE
, T
J
=25°C, I
C
= 250µA
T
J
= 25°C, V
CE
= 1200V
T
J
= 25°C, V
GE
= +/-20V
Mechanical Data
Nominal Backmetal Composition, (Thickness)
Nominal Front Metal Composition, (Thickness)
Dimensions
Wafer Diameter
Wafer Thickness, Tolerance
Relevant Die Mechanical Dwg. Number
Minimum Street Width
Reject Ink Dot Size
Ink Dot Location
Recommended Storage Environment
Recommended Die Attach Conditions
Al - Ti - Ni/V - Ag, (1kA - 1kA - 4kA - 6kA)
99% Al/1% Si, (4µm)
0.260" x 0.260"
150mm, with std. < 100 > flat
185µm, +/-15µm
01-5567
100µm
0.25mm diameter minimum
Consistent throughout same wafer lot
Store in original container, in dessicated
nitrogen, with no contamination
For optimum electrical results, die attach
temperature should not exceed 300°C
Die Outline
6.604
[.260]
5.205
[.205]
NOT ES :
1. ALL DIMENS IONS ARE S HOWN IN MILLIMET ERS [INCHES ].
2. CONT ROLLING DIMENS ION: [INCH].
3. LET T ER DES IGNAT ION:
S = S OURCE
G = GAT E
S K = S OURCE KELVIN
IS = CURRENT S ENS E
< 0.635 T OLERANCE = + /- 0.013
< [.0250] T OLERANCE = + /- [.0005]
> 0.635 T OLERANCE = + /- 0.025
> [.0250] T OLERANCE = + /- [.0010]
< 1.270 T OLERANCE = + /- 0.102
< [.050] T OLERANCE = + /- [.004]
> 1.270 T OLERANCE = + /- 0.203
> [.050] T OLERANCE = + /- [.008]
E = EMIT T ER
4. DIMENS IONAL T OLERANCES :
BONDING PADS :
WIDT H
&
LENGT H
OVERALL DIE:
GAT E
0.812
[.032]
EMITT ER
5.125 6.604
[.202] [.260]
WIDT H
&
LENGT H
2.045
[.081]
www.irf.com
10/16/02
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IRGC26B120KBPBF相似产品对比

IRGC26B120KBPBF IRGC26B120KB
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2 Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, DIE-2
是否Rohs认证 符合 不符合
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
包装说明 UNCASED CHIP, S-XUUC-N2 DIE-2
Reach Compliance Code compliant unknown
集电极-发射极最大电压 1200 V 1200 V
配置 SINGLE SINGLE
JESD-30 代码 S-XUUC-N2 S-XUUC-N2
元件数量 1 1
端子数量 2 2
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 SQUARE SQUARE
封装形式 UNCASED CHIP UNCASED CHIP
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
表面贴装 YES YES
端子形式 NO LEAD NO LEAD
端子位置 UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON

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