Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRFN9130SMD05

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IRFN9130SMD05: 产品描述8A, 100V, 0.4ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, SMD5, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小21KB，共2页; 制造商SEMELAB

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IRFN9130SMD05概述

8A, 100V, 0.4ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, SMD5, 3 PIN

IRFN9130SMD05规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SEMELAB
包装说明	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (ID)	8 A
最大漏源导通电阻	0.4 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-CBCC-N3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	40 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	NO LEAD
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON

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IRF9130SMD05N

IRFN9130SMD05

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm (inches)

0 .8 9

(0 .0 3 5 )

m in .

3 .7 0 (0 .1 4 6 )

3 .4 1 (0 .1 3 4 )

4 .1 4 (0 .1 6 3 )

3 .8 4 (0 .1 5 1 )

3 .6 0 (0 .1 4 2 )

M a x .

P–CHANNEL

POWER MOSFET

FOR HI–REL

APPLICATIONS

DSS

D(cont)

DS(on)

FEATURES

1 0 .6 9 (0 .4 2 1 )

1 0 .3 9 (0 .4 0 9 )

-100V

-8A

0.35

0 .7 6

(0 .0 3 0 )

m in .

9 .6

9 .3

1 1 .5

1 1 .2

7 (0

8 (0

.3 8

.3 6

.4 5

.4 4

1 )

9 )

6 )

4 )

1 6 .0 2 (0 .6 3 1 )

1 5 .7 3 (0 .6 1 9 )

0 .5 0 (0 .0 2 0 )

0 .2 6 (0 .0 1 0 )

• HERMETICALLY SEALED

• SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS

• LIGHTWEIGHT

• SCREENING OPTIONS AVAILABLE

SMD 5

IRF9130SMD05

PAD1 = GATE

PAD 2 DRAIN

PAD3 = SOURCE

• ALL LEADS ISOLATED FROM CASE

IRFN9130SMD05

PAD1 = SOURCE

PAD 2 = DRAIN

PAD3 = GATE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

case

= 25°C unless otherwise stated)

, T

stg

Gate – Source Voltage

Continuous Drain Current @ T

case

= 25°C

Continuous Drain Current @ T

case

= 100°C

Pulsed Drain Current

Power Dissipation @ T

case

= 25°C

Linear Derating Factor

Operating and Storage Temperature Range

Thermal Resistance Junction to Case

±20V

40A

45W

0.36W/°C

–55 to 150°C

2.8°C/W max.

Semelab plc.

Telephone +44(0)1455) 556565. Fax +44(0)1455) 552612.

E-mail:

sales@semelab.co.uk

Website

http://www.semelab.co.uk

Prelim. 10/00

IRFN9130SMD05相似产品对比

	IRFN9130SMD05	IRF9130SMD05N
描述	8A, 100V, 0.4ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, SMD5, 3 PIN	8A, 100V, 0.4ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HERMETIC SEALED, SMD5, 3 PIN
厂商名称	SEMELAB	SEMELAB
包装说明	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
针数	3	3
Reach Compliance Code	compliant	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
外壳连接	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V	100 V
最大漏极电流 (ID)	8 A	8 A
最大漏源导通电阻	0.4 Ω	0.4 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-CBCC-N3	R-CBCC-N3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
极性/信道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	40 A	40 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子形式	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

推荐资源

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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