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IXFD60N55Q2-94

产品描述Power Field-Effect Transistor, 550V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 0.559 X 0.417 INCH, DIE
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小53KB,共3页
制造商Littelfuse
官网地址http://www.littelfuse.com
标准
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IXFD60N55Q2-94概述

Power Field-Effect Transistor, 550V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, 0.559 X 0.417 INCH, DIE

IXFD60N55Q2-94规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Littelfuse
包装说明,
Reach Compliance Codecompliant
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压550 V
最大漏源导通电阻0.01 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
元件数量1
工作模式ENHANCEMENT MODE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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