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SKR6

产品描述DIODE
文件大小81KB,共3页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
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SKR6概述

DIODE

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SKR 6,2 Qu bond
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
RRM
I
F(AV)
i
2
t
I
FSM
T
jmax
Conditions
T
j
= 25 °C, I
R
= 0.05 mA
T
s
= 80 °C, T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C, 10 ms, sin 180°
10 ms
sin 180°
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
Values
1600
50
1800
850
600
150
Unit
V
A
A
2
s
A
A
°C
DIODE
I
F(DC)
= 65 A
V
RRM
= 1600 V
Size: 6,2 mm x 6,2 mm
Electrical Characteristics
Symbol
I
R
V
F
V
(TO)
r
T
Conditions
T
j
= 25 °C, V
RRM
T
j
= 145 °C, V
RRM
T
j
= 25 °C, I
F
= 33 A
T
j
= 125 °C, I
F
= 33 A
T
j
= 125 °C
T
j
= 125 °C
T
j
= 25 °C, ± 1 A
min.
typ.
max.
0.05
1.1
Unit
mA
mA
V
V
V
mΩ
µs
1
0.9
1.21
1.1
0.83
4.9
SKR 6,2 Qu bond
t
rr
22
Thermal Characteristics
Features
• high current density due to mesa
technology
• high surge current
• compatible to thick wire bonding
• compatible to all standard solder
processes
Symbol
T
j
T
stg
T
solder
T
solder
R
th(j-s)
Conditions
min.
-40
-40
typ.
max.
150
150
250
320
Unit
°C
°C
°C
°C
K/W
10 min.
5 min.
soldered on 0,38 mm DCB, reference
point on copper heatsink close to the
chip
1
Typical Applications*
• uncontrolled rectifier bridges
Mechanical Characteristics
Symbol
Raster
size
Area total
Anode
Cathode
Wire bond
Package
Chips /
Package
Conditions
Values
6.2 x 6.2
38.44
bondable (Al)
solderable (Ag/Ni)
Al, diameter
500 µm
wafer frame
378
Unit
mm
2
mm
2
pcs
SKR
© by SEMIKRON
Rev. 1 – 19.02.2010
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