Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> SKM800GA176D

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SKM800GA176D: 产品描述830 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小751KB，共7页; 制造商SEMIKRON; 官网地址http://www.semikron.com; 标准

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SKM800GA176D概述

830 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT

830 A, 1700 V, N沟道 IGBT

SKM800GA176D规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	SEMIKRON
零件包装代码	DO-204
包装说明	CASE D 59, SEMITRANS 4, 4 PIN
针数	2
制造商包装代码	CASE D 59
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	UL RECOGNIZED
外壳连接	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)	830 A
集电极-发射极最大电压	1700 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压	20 V
JESD-30 代码	R-XUFM-X4
JESD-609代码	e2
元件数量	1
端子数量	4
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	UNSPECIFIED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
参考标准	IEC-60747-1
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	POWER CONTROL
晶体管元件材料	SILICON
标称断开时间 (toff)	1190 ns
标称接通时间 (ton)	320 ns
VCEsat-Max	2.45 V
Base Number Matches	1

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SKM 800GA176D

Absolute Maximum Ratings

Symbol Conditions

IGBT

Values

Units

SEMITRANS

Trench IGBT Modules

SKM 800GA176D

Module

Inverse Diode

Features

Characteristics

Symbol Conditions

IGBT

min.

typ.

max.

Units

Typical Applications*

Remarks

28-06-2010 GIL

SKM800GA176D相似产品对比

	SKM800GA176D	SKM800GA176D_10
描述	830 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT	830 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
元件数量	1	1
端子数量	4	4
端子形式	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
端子位置	UPPER	UPPER
晶体管应用	POWER CONTROL	POWER 控制
晶体管元件材料	SILICON	硅

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