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SKM200GB176D_10

产品描述260 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小715KB,共7页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
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SKM200GB176D_10概述

260 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT

260 A, 1700 V, N沟道 IGBT

SKM200GB176D_10规格参数

参数名称属性值
端子数量7
额定关断时间900 ns
最大集电极电流260 A
最大集电极发射极电压1700 V
加工封装描述CASE D56, SEMITRANS3-7
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸凸缘安装
端子形式UNSPECIFIED
端子涂层锡/银
端子位置UPPER
包装材料UNSPECIFIED
结构系列 CONNECTED, CENTER TAPPED WITH BUILT-IN 二极管
壳体连接隔离
元件数量2
晶体管应用POWER 控制
晶体管元件材料
通道类型N沟道
晶体管类型INSULATED GATE BIPOLAR
额定导通时间405 ns

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SKM 200GB176D
Absolute Maximum Ratings
Symbol Conditions
IGBT
Values
Units
SEMITRANS
®
3
Trench IGBT Modules
SKM 200GB176D
SKM 200GAL176D
Freewheeling Diode
Inverse Diode
Features
Module
Typical Applications*
Characteristics
Symbol Conditions
IGBT
min.
typ.
max.
Units
GB
GAL
1
28-06-2010 GIL
© by SEMIKRON

SKM200GB176D_10相似产品对比

SKM200GB176D_10 SKM200GB176D
描述 260 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT 260 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
端子数量 7 7
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER
元件数量 2 2
晶体管应用 POWER 控制 POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON

 
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