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SKM200GAL12E4

产品描述314 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小167KB,共6页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
标准
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SKM200GAL12E4概述

314 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT

314 A, 1200 V, N沟道 IGBT

SKM200GAL12E4规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SEMIKRON
零件包装代码DO-204
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4
针数2
制造商包装代码CASE D56
Reach Compliance Codecompli
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)314 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度175 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用POWER CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)597 ns
标称接通时间 (ton)244 ns
VCEsat-Max2.05 V

SKM200GAL12E4相似产品对比

SKM200GAL12E4 SKM200GAL12E4_0906
描述 314 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT 314 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
元件数量 1 1
端子数量 4 4
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER
晶体管应用 POWER CONTROL POWER CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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