NP82N055DHE,NP82N055DHE pdf中文资料,NP82N055DHE引脚图,NP82N055DHE电路-Datasheet-电子工程世界

NP82N055DHE: 产品描述82A, 55V, 0.0086ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, FIN CUT, MP-25, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小76KB，共8页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/

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NP82N055DHE概述

82A, 55V, 0.0086ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, FIN CUT, MP-25, 3 PIN

	NP82N055DHE	NP82N055DHE-AZ
描述	82A, 55V, 0.0086ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, FIN CUT, MP-25, 3 PIN	82A, 55V, 0.0086ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, FIN CUT, MP-25, 3 PIN
是否Rohs认证	不符合	符合
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)	Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码	TO-262AA	TO-262AA
包装说明	IN-LINE, R-PSIP-T3	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数	3	3
Reach Compliance Code	unknown	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99
雪崩能效等级（Eas）	289 mJ	289 mJ
外壳连接	DRAIN	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	55 V	55 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)	82 A	82 A
最大漏极电流 (ID)	82 A	82 A
最大漏源导通电阻	0.0086 Ω	0.0086 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-262AA	TO-262AA
JESD-30 代码	R-PSIP-T3	R-PSIP-T3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	175 °C	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	260
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	1.8 W	1.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)	300 A	300 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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