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NDS8926S62Z

产品描述Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小240KB,共6页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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NDS8926S62Z概述

Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8

NDS8926S62Z规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fairchild
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (ID)5.5 A
最大漏源导通电阻0.035 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)20 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

NDS8926S62Z相似产品对比

NDS8926S62Z EF12.A026H150C0.2210.019 NDS8926D84Z
描述 Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8 Mains Power Connector, Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 0.035ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8
Reach Compliance Code unknown compliant unknown
厂商名称 Fairchild - Fairchild
零件包装代码 SOT - SOT
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 - SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数 8 - 8
ECCN代码 EAR99 - EAR99
配置 SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE - SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 20 V - 20 V
最大漏极电流 (ID) 5.5 A - 5.5 A
最大漏源导通电阻 0.035 Ω - 0.035 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 - R-PDSO-G8
元件数量 2 - 2
端子数量 8 - 8
工作模式 ENHANCEMENT MODE - ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
极性/信道类型 N-CHANNEL - N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 20 A - 20 A
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
表面贴装 YES - YES
端子形式 GULL WING - GULL WING
端子位置 DUAL - DUAL
晶体管应用 SWITCHING - SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON - SILICON

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