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SKM100GB176D_10

产品描述125 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小959KB,共7页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
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SKM100GB176D_10概述

125 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT

125 A, 1700 V, N沟道 IGBT

SKM100GB176D_10规格参数

参数名称属性值
端子数量7
额定关断时间820 ns
最大集电极电流125 A
最大集电极发射极电压1700 V
加工封装描述CASE D 61, SEMITRANS 2, 7 PIN
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸凸缘安装
端子形式UNSPECIFIED
端子涂层锡/银
端子位置UPPER
包装材料UNSPECIFIED
结构系列 CONNECTED, CENTER TAPPED WITH BUILT-IN 二极管
壳体连接隔离
元件数量2
晶体管应用POWER 控制
晶体管元件材料
通道类型N沟道
晶体管类型INSULATED GATE BIPOLAR
额定导通时间320 ns

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SKM 100GB176D
Absolute Maximum Ratings
Symbol Conditions
IGBT
Values
Units
SEMITRANS
®
2
Trench IGBT Modules
SKM 100GB176D
Inverse Diode
Module
Features
Characteristics
Symbol Conditions
IGBT
min.
typ.
max.
Units
Typical Applications*
GB
1
28-06-2010 GIL
© by SEMIKRON

SKM100GB176D_10相似产品对比

SKM100GB176D_10 SKM100GB176D
描述 125 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT 125 A, 1700 V, N-CHANNEL IGBT
端子数量 7 7
端子形式 UNSPECIFIED UNSPECIFIED
端子位置 UPPER UPPER
元件数量 2 2
晶体管应用 POWER 控制 POWER CONTROL
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