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SKCD81C120I4F

产品描述CAL-DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小175KB,共3页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
标准
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SKCD81C120I4F概述

CAL-DIODE

SKCD81C120I4F规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称SEMIKRON
包装说明DIE-2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用SOFT RECOVERY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)2.46 V
JESD-30 代码S-XXUC-N2
最大非重复峰值正向电流900 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流98 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
参考标准IEC-60747-1
最大重复峰值反向电压1200 V
最大反向电流180 µA
最大反向恢复时间0.48 µs
表面贴装YES
端子形式NO LEAD
端子位置UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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SKCD 81 C 120 I4F
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V
RRM
I
F(AV)
I
FSM
T
jmax
Conditions
T
j
= 25 °C, I
R
= 0.18 mA
T
c
= 80 °C, T
j
= 175 °C, F
i
=PI/2
10 ms
sin 180°
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
Values
1200
98
900
900
175
Unit
V
A
A
A
°C
CAL-DIODE
I
F
= 150 A
V
RRM
= 1200 V
Size: 9 mm x 9 mm
Electrical Characteristics
Symbol
i²t
I
R
V
F
Conditions
T
j
= 150 °C, sin 180°, 10 ms
T
j
= 25 °C, V
RRM
= 1200 V
T
j
= 150 °C, V
RRM
= 1200 V
T
j
= 25 °C, I
F
= 150 A
T
j
= 150 °C, I
F
= 150 A
T
j
= 175 °C, I
F
= 150 A
min.
typ.
max.
4050
0.18
Unit
A²s
mA
mA
V
V
V
V
m
V
m
14.00
2.14
2.07
1.93
0.90
7.8
0.82
7.40
28.00
2.46
2.38
2.24
1.10
8.60
0.98
8.40
SKCD 81 C 120 I4F
Features
max. junction 175 °C
very low forward voltage drop
positive temperature coefficient
extreme soft recovery
V
(TO)
r
T
V
(TO)
r
T
T
j
= 150 °C
T
j
= 150 °C
T
j
= 175 °C
T
j
= 175 °C
Dynamic Characteristics
Symbol
t
rr
E
rr
I
rrm
Conditions
T
j
= 150 °C, 150 A, 600 V, 3200 A/µs
T
j
= 150 °C, 150 A, 600 V, 3200 A/µs
T
j
= 150 °C, 150 A, 600 V, 3200 A/µs
min.
typ.
0.48
8.7
153
max.
Unit
µs
mJ
A
Typical Applications*
• freewheeling diode for IGBT
Thermal Characteristics
Symbol
T
j
T
stg
T
solder
T
solder
R
th(j-c)
10 min.
5 min.
Semitrans Assembly
0.32
Conditions
min.
-40
-40
typ.
max.
175
175
250
320
Unit
°C
°C
°C
°C
K/W
Mechanical Characteristics
Symbol
Raster
size
Area total
Anode
Cathode
Wire bond
Package
Chips /
Package
Metallization
Metallization
Conditions
Values
9x9
81
bondable (Al)
solderable (Ag/Ni)
Al, typ. diameter = 300 µm
wafer frame
179
Unit
mm
2
mm²
pcs
SKCD
© by SEMIKRON
Rev. 0 – 16.03.2011
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