Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 200V, 1.6ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257AA,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Fairchild |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 4 A |
最大漏极电流 (ID) | 4 A |
最大漏源导通电阻 | 1.6 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-257AA |
JESD-30 代码 | R-MSFM-P3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 20 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 12 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | PIN/PEG |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved