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IXBH15N170

产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小156KB,共2页
制造商IXYS
标准  
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IXBH15N170概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, PLASTIC PACKAGE-3

IXBH15N170规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IXYS
零件包装代码TO-247AD
包装说明PLASTIC PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
其他特性LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)25 A
集电极-发射极最大电压1700 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码TO-247AD
JESD-30 代码R-PSFM-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)2260 ns
标称接通时间 (ton)63 ns

IXBH15N170相似产品对比

IXBH15N170 IXBT15N170
描述 Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, PLASTIC PACKAGE-3 Insulated Gate Bipolar Transistor, 25A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-268AA, PLASTIC, TO-268, 3 PIN
是否无铅 不含铅 不含铅
零件包装代码 TO-247AD TO-268AA
包装说明 PLASTIC PACKAGE-3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数 3 4
Reach Compliance Code compliant unknown
其他特性 LOW CONDUCTION LOSS LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接 COLLECTOR COLLECTOR
最大集电极电流 (IC) 25 A 25 A
集电极-发射极最大电压 1700 V 1700 V
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码 TO-247AD TO-268AA
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSSO-G2
元件数量 1 1
端子数量 3 2
最高工作温度 150 °C 150 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO YES
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 MOTOR CONTROL MOTOR CONTROL
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称断开时间 (toff) 2260 ns 2260 ns
标称接通时间 (ton) 63 ns 63 ns

 
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